GAN041-650WSBQ
- メーカー部品番号
- GAN041-650WSBQ
- メーカー
- Nexperia
- パッケージ/ケース
- -
- データシート
- GAN041-650WSBQ
- 説明
- GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
- 在庫
- 35000
見積依頼(RFQ)
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- メーカー :
- Nexperia
- 製品カテゴリ :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 47.2A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 650 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 10V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 22 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 1500 pF @ 400 V
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-247-3
- Power Dissipation (Max) :
- 187W
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 41mOhm @ 32A, 10V
- Supplier Device Package :
- TO-247-3
- Technology :
- GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Vgs (Max) :
- ±20V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 4.5V @ 1mA
- データシート
- GAN041-650WSBQ