1N5711W-7-F

Производитель-деталь №
1N5711W-7-F
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
1N5711W-7-F
Описание
DIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123
lang_0071
127095

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Diodes Incorporated
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - RF
Capacitance @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Current - Max :
15 mA
Diode Type :
Schottky - Single
Operating Temperature :
-55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case :
SOD-123
Power Dissipation (Max) :
333 mW
Product Status :
Active
Resistance @ If, F :
-
Supplier Device Package :
SOD-123
Voltage - Peak Reverse (Max) :
70V
lang_0258
1N5711W-7-F

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
1N5711 Microchip Technology 142 SCHOTTKY DIODE
1N5711#T25 Broadcom 35,000 RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW
1N5711#T50 Broadcom 35,000 RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW
1N5711-1 Microchip Technology 35,000 DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
1N5711-1/TR Microchip Technology 35,000 DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY
1N5711/TR Microchip Technology 35,000 DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY
1N5711E3 Microchip Technology 35,000 DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY
1N5711E3/TR Microchip Technology 35,000 DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY
1N5711UB Microchip Technology 35,000 SCHOTTKY DIODE
1N5711UBCA Microchip Technology 35,000 SCHOTTKY DIODE
1N5711UBCC Microchip Technology 35,000 SCHOTTKY DIODE
1N5711UBD Microchip Technology 35,000 SCHOTTKY BARRIER DIODE CERAMIC S
1N5711UR-1 Microchip Technology 35,000 SCHOTTKY DIODE
1N5711UR-1/TR Microchip Technology 35,000 DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY
1N5711UR-1E3 Microchip Technology 35,000 SCHOTTKY BARRIER DIODE MELF SURF